更新時間:2023-08-18
光侵入式熱電制冷特點在2-14μm范圍具有良好的性能;無須LN(液氮)制冷;快速響應(yīng);使用方便;與快速元器件*兼容;動態(tài)范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設(shè)計
光侵入式熱電制冷簡介:
PCI-2TE-n (n表示佳特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或過半球透鏡(可選)進行光照入。這些設(shè)備在2~14µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的間隙(Hg,Cd,Zn)Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
光侵入式熱電制冷技術(shù)規(guī)格
特性(@ 20ºC) | 單位 | LD-PCI-2TE-4 | LD-PCI-2TE-5 | LD-PCI-2TE-6 | LD-PCI-2TE-9 | LD-PCI-2TE-10.6 | LD-PCI-2TE-12 | |
特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 | 12 | |
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >6E11 >4E10 | >4E10 >2E10 | >2E10 >1E10 | >1E10 >4E9 | >3.5E9 >1.4E9 | >1E9 >4.5E8 | |
響應(yīng)度- atλop1x1 mm | Vmm/W | >6000 | >3000 | >600 | >40 | >25 | >15 | |
響應(yīng)時間τ | ns | <4000 | <2000 | <1000 | <20 | <10 | <2 | |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | |
有效面積, (長×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | ||||||
偏置電流-寬度比* | mA/mm | 0.05-0.3 | 0.1-0.5 | 0.3-0.8 | 2-5 | 5-20 | 5-20 | |
薄層電阻系數(shù) | Ω/sqr | 600-1500 | 300-500 | 200-400 | 50-200 | 50-150 | 50-150 | |
視場, F# | deg | 35, 1.65 |